TWOJA PRZEGLĄDARKA JEST NIEAKTUALNA.
Wykryliśmy, że używasz nieaktualnej przeglądarki, przez co nasz serwis może dla Ciebie działać niepoprawnie. Zalecamy aktualizację lub przejście na inną przeglądarkę.
Wspólne badania z uniwersytetem w Bratysławie
Naukowcy z Wydziału Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów realizują badania we współpracy z Wydziałem Elektrotechniki i Informatyki Słowackiego Uniwersytetu Technicznego w Bratysławie. Dzięki finansowaniu NAWA będą pracować nad kluczowymi technologiami wspomagającymi dla zaawansowanych struktur oraz przyrządów elektronicznych i optoelektronicznych. Koordynatorami projektu są: dr inż. Beata Ściana z PWr i prof. Ľubica Stuchlíková z SUT.
Zespół naukowców zamierza kontynuować prace nad stworzeniem platformy technologiczno-diagnostycznej, umożliwiającej prowadzenie wspólnych badań właściwości strukturalnych, optycznych i elektrycznych niedomieszkowanych i domieszkowanych heterostruktur epitaksjalnych (trój- i dwuwymiarowych), opartych na układach materiałowych GaAsN/GaAs, InGaAsN/GaAs i InGaAs/AlInAs/InP, AlGaN/GaN.
Oryginalność tego projektu polega na połączeniu doświadczenia z zakresu epitaksjalnego wzrostu zaawansowanych heterostruktur półprzewodnikowych zespołu badawczego z Wydziału Elektroniki, Fotoniki i Mikrosystemów PWr z osiągnięciami badawczymi zespołu słowackiego. Chodzi o zastosowanie szerokiego spektrum nowoczesnych metod pomiarowych do charakteryzacji tego rodzaju heterostruktur.
Badania mają przyczynić się do przyspieszenia procesu implementacji nowatorskich rozwiązań konstrukcyjno-materiałowych do urządzeń elektronicznych i optoelektronicznych.